5G及汽車電子發(fā)力 第三代半導體材料市場規(guī)模擴大
相較目前主流的硅晶圓(Si),第三代半導體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外,也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢,不僅可使芯片面積可大幅減少,并能簡化周邊電路的設計,達到減少模組、系統(tǒng)周邊的零組件及冷卻系統(tǒng)的體積。除了輕化車輛設計之外,因第三代半導體的低導通電阻及低切換損失的特性,也能大幅降低車輛運轉時的能源轉換損失,兩者對于電動車續(xù)航力的提升有相當?shù)膸椭?。因此,SiC及GaN功率組件的技術與市場發(fā)展,與電動車的發(fā)展密不可分。
2022-05-31